2021年全球存儲產品全線提價。2月底的DRAM、內存模塊、NAND FLASH、NOR Flash等的價格均出現(xiàn)調漲。以內存的價格為例——DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，截至今年2月3日，8Gb DDR4內存顆粒報價達到3.93美元，去年8月的報價僅為2.54美元。
 
去年下半年因疫情管控、停電、產能緊張、超額預訂等問題突顯，加上晶圓代工產能吃緊、原廠釋放到SSD渠道市場的NAND Flash資源較少、大廠增加了備貨庫存……諸多因素疊加，對產能產生了排擠效應。隨著PC、5G手機、汽車、數(shù)據(jù)中心對存儲性能和容量需求的不斷提升，預期2021年NAND閃存行業(yè)會大幅增長，對Client SSD 主控芯片、eMMC/UFS主控芯片及車用儲存的需求也會明顯增加。
 
當前即使緊急新增投產8英寸晶圓產線，在短期內也較難看到明顯的產能增長。近期臺積電宣布取消12英寸晶圓代工3%的折扣，業(yè)內猜測12英寸晶圓產能也將吃緊。再加上終端需求在提升，在晶圓產能尚未緩解之前，存儲產業(yè)鏈也或將面臨緊張的局面。
 
就算不考慮最直接的產能問題，發(fā)展大數(shù)據(jù)存儲也要解決很多問題。據(jù)IDC預測，2023年將有超過100ZB的數(shù)據(jù)產生，這將改變大家對整個行業(yè)的看法和預期，也對下一代存儲技術提出新的要求。
 
數(shù)據(jù)量的增長也將給大數(shù)據(jù)存儲帶來新的挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)包括——“如何提高存儲的安全性”“減低傳輸?shù)难舆t性”“適當?shù)匕褦?shù)據(jù)依級存儲”。當5G、IoT將進入ZB存儲時代，新的數(shù)據(jù)將以等比的成長速度不斷產生，舊的存儲架構將無法滿足應用。Arm的存儲方案團隊很早就針對新的應用，提供完整的即時處理器/應用處理器/安全性IP與系統(tǒng)IP，如去年推出的Cortex-R82，專為加速下一代企業(yè)與計算型存儲解決方案的發(fā)展與部署所設計。
 
伴隨5G及IoT的普及，各類數(shù)據(jù)將匯集至云端并加以保存和利用，閃存及固態(tài)硬盤將成為大數(shù)據(jù)存儲端的主角，為了足以應對全球對數(shù)據(jù)存儲的強勁需求，首先增加閃存及固態(tài)硬盤的供應量，并通過采取技術革新手段，不斷增加每片芯片、每臺驅動器的容量，為構筑數(shù)字化轉型所需的基礎設施做出貢獻。
 
大數(shù)據(jù)存儲的落地主要面臨三大挑戰(zhàn)：第一，海量、多元數(shù)據(jù)的存放。分布在多個平臺和地理位置的數(shù)據(jù)被以不同的?式采集與傳輸，數(shù)據(jù)從單?內部?數(shù)據(jù)形態(tài)向多元動態(tài)?數(shù)據(jù)發(fā)展，?量?本、圖?、視頻等?結構化數(shù)據(jù)正源源不斷產?和存儲；第二，數(shù)據(jù)的實時處理。到2023年實時數(shù)據(jù)將占全球數(shù)據(jù)圈25%的份額。其中金融的風險評估、交通的自動駕駛、運營商的智能網(wǎng)絡等許多場景，都要依賴快速實時的數(shù)據(jù)采集、存儲和分析得以實現(xiàn)；第三，非結構化數(shù)據(jù)以及將其結構化后的數(shù)據(jù)，在多云之間的流動、共享。到2022年50％以上的由企業(yè)生成的數(shù)據(jù)，將在數(shù)據(jù)中心或云端以外的地方進行創(chuàng)建和處理。這些數(shù)據(jù)可能會被保存在私有云、公有云上，在不同公有云之間進行共享。
 
信息技術與經濟社會的交匯融合引發(fā)了數(shù)據(jù)迅猛增長，企業(yè)級、消費級存儲空間需求激增。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)庫在應付海量數(shù)據(jù)時，暴露出并發(fā)性低，擴展性差，效率低下等問題。大數(shù)據(jù)存儲呈現(xiàn)高效能、低成本、低延時的發(fā)展趨勢。
 
由于海量的數(shù)據(jù)無法被完全存儲下來，“如何盡可能地提升存儲容量”或“哪些數(shù)據(jù)有被存儲的價值”將是廠商考量的重點。未來全球將會有90%左右的數(shù)據(jù)由機器產生，這主要是順序型寫入的流媒體數(shù)據(jù)，弄清楚“哪些數(shù)據(jù)需要被實時計算”“哪些數(shù)據(jù)需要被存儲”非常關鍵，這些非結構化數(shù)據(jù)如何實現(xiàn)“瘦身”、提升存儲效能？


本文關鍵詞： NAND FLASH

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