everspin MRAM是為LSI Corporation（現(xiàn)在的Avago Technologies）RAID控制器卡上的日志存儲(chǔ)器選擇的存儲(chǔ)器，該RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSAS存儲(chǔ)連接。Everspin MRAM在其RAID磁盤陣列中執(zhí)行寫日志或數(shù)據(jù)日志功能。
 
MRAM實(shí)時(shí)捕獲事務(wù)信息，以便在發(fā)生系統(tǒng)故障時(shí)可以恢復(fù)數(shù)據(jù)。寫入MRAM的數(shù)據(jù)日志還可以捕獲系統(tǒng)狀況和狀態(tài)，以進(jìn)行遠(yuǎn)程診斷和修復(fù)。MRAM芯片也包含在LSI公司針對第三方RAID卡和主板RAID（ROMB）解決方案的參考設(shè)計(jì)中。
 
RAID控制器應(yīng)用程序中的MRAM
EverspinMRAM快速寫入，能夠?qū)崟r(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)保持20年的非易失性。不需要外部電池或電容器。
 
案例研究：片上RAID日志存儲(chǔ)器
 
除了不需要負(fù)載均衡或ECC開銷的快速寫入外，戴爾之所以選擇MRAM，是因?yàn)镸RAM的非易失性支持增強(qiáng)的數(shù)據(jù)中心故障恢復(fù)，減少的系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間和更低的總體擁有成本。此外，MRAM的快速寫入時(shí)間沒有負(fù)載均衡或ECC開銷，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。


RAID服務(wù)器中的MRAM
MRAM的性能，高耐用性和非易失性使戴爾能夠?yàn)樾袠I(yè)領(lǐng)先的RAID服務(wù)器提供增強(qiáng)的數(shù)據(jù)中心故障恢復(fù)，減少的系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間和更低的總體擁有成本。


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