RAID存儲系統(tǒng)概述
 
RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson，Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期描述為“廉價磁盤冗余陣列”。現(xiàn)在它已成為實現(xiàn)以下目的的冗余和并行性的數(shù)據(jù)存儲方案的統(tǒng)稱：與單個磁盤驅(qū)動器或“只是一堆磁盤”（JBOD）相比，具有更好的容錯能力和更好的輸入/輸出（I/O）性能。RAID通常代表由許多存儲磁盤組成的系統(tǒng)，服務器可以通過高速以太網(wǎng)或光纖通道（FC）介質(zhì)訪問這些存儲磁盤。磁盤驅(qū)動器I/O速度是大多數(shù)存儲系統(tǒng)中的主要性能瓶頸。通常RAID系統(tǒng)使用并行磁盤訪問和高速緩存來提高讀取和寫入性能，同時使用冗余磁盤進行故障恢復以增強容錯能力。
 
通常使用電池來備份RAID系統(tǒng)中的高速緩存（尤其是寫高速緩存），以避免由于電源故障而丟失數(shù)據(jù)。在許多此類系統(tǒng)中，寫日志用于在數(shù)據(jù)從主機傳輸?shù)酱鎯ο到y(tǒng)時跟蹤數(shù)據(jù)，并允許快速系統(tǒng)恢復，以防在將數(shù)據(jù)提交到磁盤之前發(fā)生電源或磁盤故障。如果在進行寫事務時斷電，則會在加電時回讀日志存儲器以標識掛起的寫操作。RAID控制器會不斷訪問日志以寫入日志，因此寫入日志功能需要具有高速和高耐久性的非易失性存儲器。此外存儲在該存儲器中的數(shù)據(jù)的可靠性至關重要，因為在電源故障的情況下丟失該數(shù)據(jù)會導致存儲系統(tǒng)的長時間停機。
 
NV-SRAM
 
NV-SRAM（非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器）是具有SRAM接口的快速非易失性存儲器。對NV-SRAM的所有讀取和寫入均由SRAM完成，這使其具有獨特的能力以極高的速度執(zhí)行無限的讀取和寫入操作。如果斷電則保存在SRAM中的數(shù)據(jù)將被傳輸?shù)脚c每個SRAM單元集成在一起的非易失性（NV）元件中。上電時數(shù)據(jù)自動傳輸回SRAM。高速和無限的寫/讀耐久性和高可靠性使NV-SRAM成為寫日記應用程序的理想非易失性存儲解決方案。
 
 
 本文關鍵詞：NV-SRAM

相關文章：?游戲應用中的非易失性SRAM(nvSRAM)

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。