目前主流的MRAM利用巨磁阻效應(yīng)( GMR）和磁性隧道結(jié)(MTJ)）的隧穿電阻效應(yīng)來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)。以MTJ為例,其元胞結(jié)構(gòu)包括自由層、隧道層和固定層3個(gè)層面（如圖1所示)。自由層的磁場(chǎng)極化方向是可以改變的,而固定層的磁場(chǎng)方向是固定不變的,在電場(chǎng)作用下電子會(huì)隧穿絕緣層勢(shì)壘而垂直穿過(guò)器件，電流可隧穿的程度及MTJ的電阻均由2個(gè)磁性層的相對(duì)磁化方向來(lái)確定3'。當(dāng)自由層的磁場(chǎng)方向與固定層的磁場(chǎng)方向相同時(shí),存儲(chǔ)單元呈現(xiàn)低阻態(tài)“0”;當(dāng)兩者磁場(chǎng)方向相反時(shí),存儲(chǔ)單元呈現(xiàn)高阻態(tài)“1”。MRAM器件通過(guò)檢測(cè)存儲(chǔ)單元電阻的高低來(lái)判斷所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是“0”還是“1”。
   
典型的存儲(chǔ)單元電路結(jié)構(gòu)如圖2所示，一般是由1個(gè)NMOS管與MTJ單元集成在一起。NMOS管的柵極連接到存儲(chǔ)陣列的字線(xiàn)( word line,WL)﹐源（漏）極通過(guò)源極線(xiàn)( source line, SL)與MTJ的固定層相連;而連接到MTJ自由層上的連線(xiàn)為存儲(chǔ)陣列的位線(xiàn)( bit line, BL）。在位線(xiàn)和源極線(xiàn)之間施加不同的電壓,產(chǎn)生流過(guò)磁隧道結(jié)的寫(xiě)入電流(Iwrite）﹐Iwrite可改變磁隧道結(jié)自由層的磁化方向，使隧穿電阻變化,完成“0”和“1”的存儲(chǔ)。MRAM電路的讀取機(jī)制是電流從位線(xiàn)流入，并通過(guò)MTJ和 MOS管輸出，電壓的大小同樣依賴(lài)于MTJ電阻的高低,相同讀取電流下所產(chǎn)生的輸出電壓不同。根據(jù)輸出電壓就可以判斷存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)是“0”還是“1”。
1個(gè)MTJ和1個(gè)MOSFET（即1T1M）結(jié)構(gòu)構(gòu)成MRAM基本的存儲(chǔ)單元,眾多存儲(chǔ)單元又組成存儲(chǔ)陣列，一般的MRAM電路除存儲(chǔ)陣列之外還有相應(yīng)的外圍電路。如圖3所示的存儲(chǔ)器外圍電路主要包括靈敏放大器、譯碼電路、讀/寫(xiě)控制電路等。與SRAM等存儲(chǔ)器類(lèi)似,靈敏放大器主要用來(lái)對(duì)位線(xiàn)信號(hào)進(jìn)行放大。可見(jiàn)除了存儲(chǔ)陣列之外,外圍電路均可采用與傳統(tǒng)工藝兼容的CMOS電路進(jìn)行設(shè)計(jì)制造。
   
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本文關(guān)鍵詞：MRAM  

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