上海靈動(dòng)微MM32L052PF產(chǎn)品使用ARM®Cortex®-M0內(nèi)核高性能的32位微控制器，其工作頻率48兆赫茲，并內(nèi)置高速存儲(chǔ)器，具有豐富的增強(qiáng)型I/O端口和外設(shè)連接到外部總線。該系列工作電壓為2.0V~5.5V，工作溫度范圍包含-40?C~+85?C常規(guī)型。且具有多種省電工作模式保證低功耗應(yīng)用的要求。并提供LQFP48、LQFP32和QFN32共3種封裝形式。該產(chǎn)品系列可用于完全替代STM32F042C6T6及GD32F150C6T6。靈動(dòng)微總代理英尚微電子可提供開發(fā)板測(cè)試及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。
 
MM32L052P可根據(jù)不同的封裝形式，器件中的外設(shè)配置不盡相同。這些豐富的外設(shè)配置，使得本產(chǎn)品微控制器適合于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用控制、醫(yī)療和手持設(shè)備、工業(yè)應(yīng)用等多種應(yīng)用場(chǎng)合。
 
MM32L052PF特性
 
•內(nèi)核與系統(tǒng)
–32位ARM®Cortex®-M0處理器內(nèi)核
–最高工作頻率可達(dá)48MHz
•存儲(chǔ)器
–高達(dá)128K字節(jié)的閃存程序存儲(chǔ)器
–高達(dá)8K字節(jié)的SRAM
–Bootloader支持片內(nèi)Flash在線系統(tǒng)編程(ISP)
•時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
–2.0V∼5.5V供電
–上電/斷電復(fù)位(POR/PDR)、可編程電壓監(jiān)測(cè)器(PVD)
–外部2∼24MHz高速晶體振蕩器
–內(nèi)嵌經(jīng)出廠調(diào)校的48MHz高速振蕩器
–內(nèi)嵌40KHz低速振蕩器
–支持多種PLL及分頻模式，用于USB時(shí)鐘源
–PLL支持CPU最高運(yùn)行在48MHz
•低功耗
–睡眠、停機(jī)和待機(jī)模式
•調(diào)試模式
–串行單線調(diào)試(SWD)
•采用LQFP48、LQFP32和QFN32封裝
 
MM32L052PF概述
ARM-Cortex-M0核心并內(nèi)嵌存儲(chǔ)SRAM
ARM®的Cortex®-M0處理器是最新一代的嵌入式ARM處理器，它為實(shí)現(xiàn)MCU的需要提供了低成本的平臺(tái)、縮減的引腳數(shù)目、降低的系統(tǒng)功耗，同時(shí)提供卓越的計(jì)算性能和先進(jìn)的中斷系統(tǒng)響應(yīng)。

ARM®的Cortex®-M0是32位的RISC處理器，提供額外的代碼效率，在通常8和16位系統(tǒng)的存儲(chǔ)空間上發(fā)揮了ARM內(nèi)核的高性能。

本產(chǎn)品擁有內(nèi)置的ARM核心，因此它與所有的ARM工具和軟件兼容。

內(nèi)置閃存存儲(chǔ)器
最大128K字節(jié)的內(nèi)置閃存存儲(chǔ)器，用于存放程序和數(shù)據(jù)。

內(nèi)置SRAM
最大8K字節(jié)的內(nèi)置SRAM。

自舉模式
在啟動(dòng)時(shí)，通過(guò)自舉引腳可以選擇三種自舉模式中的一種：
•從程序閃存存儲(chǔ)器自舉
•從系統(tǒng)存儲(chǔ)器自舉
•從內(nèi)部SRAM自舉
自舉加載程序(Bootloader)存放于系統(tǒng)存儲(chǔ)器中，可以通過(guò)UART1對(duì)閃存重新編程。

低功耗模式
產(chǎn)品支持低功耗模式，可以在要求低功耗、短啟動(dòng)時(shí)間和多種喚醒事件之間達(dá)到最佳的平衡。

睡眠模式
在睡眠模式，只有CPU停止，所有外設(shè)處于工作狀態(tài)并可在發(fā)生中斷/事件時(shí)喚醒CPU。

停機(jī)模式
SRAM和寄存器內(nèi)容不丟失的情況下，停機(jī)模式可以達(dá)到最低的電能消耗。在停機(jī)模式下，HSI的振蕩器和HSE晶體振蕩器被關(guān)閉。可以通過(guò)任一配置成EXTI的信號(hào)把微控制器從停機(jī)模式中喚醒，EXTI信號(hào)可以是16個(gè)外部I/O口之一、PVD的輸出的喚醒信號(hào)。

待機(jī)模式
待機(jī)模式可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的最低功耗。該模式是在CPU深睡眠模式時(shí)關(guān)閉電壓調(diào)節(jié)器。內(nèi)部所有的1.5V部分的供電區(qū)域被斷開。PLL、HSI和HSE振蕩器也都關(guān)閉,可以通過(guò)WKUP引腳的上升沿、NRST引腳的外部復(fù)位、IWDG復(fù)位喚醒或者看門狗定時(shí)器喚醒并復(fù)位。SRAM和寄存器的內(nèi)容將被丟失。只有備份的寄存器和待機(jī)電路維持供電。


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